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NXP Semiconductors
PESDxL1BA series
Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323
10 4
P PP
(W)
10 3
006aaa066
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
001aaa193
(1)
10 2
(2)
0.4
10
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
t p = 8/20 μ s exponential decay waveform; see Figure 1
(1) PESD3V3L1BA and PESD5V0L1BA
(2) PESD12VL1BA; PESD15VL1BA; PESD24VL1BA
Fig 3.
Peak pulse power dissipation as a function of
pulse time; typical values
Fig 4.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
110
C d
(pF)
100
90
(1)
006aaa067
20
C d
(pF)
16
12
006aaa068
(1)
80
70
8
(2)
(3)
60
50
(2)
4
0
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
T amb = 25 ° C; f = 1 MHz
(1) PESD3V3L1BA
(2) PESD5V0L1BA
V R (V)
T amb = 25 ° C; f = 1 MHz
(1) PESD12VL1BA
(2) PESD15VL1BA
(3) PESD24VL1BA
V R (V)
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
PESDXL1BA_SER_2
voltage; typical values
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 20 August 2009
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